集成电路纯度试验

检测项目

1.金属杂质检测：钠含量，钾含量，钙含量，铁含量，铜含量，镍含量，铬含量，铝含量。

2.离子污染检测：氯离子残留，氟离子残留，硫酸根残留，硝酸根残留，铵根残留，钠离子残留，钾离子残留。

3.有机污染物检测：有机溶剂残留，助剂残留，清洗剂残留，挥发性有机物，半挥发性有机物，表面有机薄膜污染。

4.颗粒污染检测：表面颗粒数量，颗粒粒径分布，大颗粒污染，微细颗粒污染，颗粒附着密度，颗粒形貌特征。

5.表面洁净度检测：表面残留物，总残留量，局部污染程度，表面异物分布，洁净均匀性，污染覆盖情况。

6.无机非金属杂质检测：硅氧化物残留，磷化物残留，硼化物残留，氯化物残留，硫化物残留，氮化物异常成分。

7.封装材料纯度检测：塑封料杂质，填料纯度，键合材料杂质，焊料杂质，引线框架表面污染，封装界面残留物。

8.晶圆表面污染检测：晶圆表面金属沾污，氧化层污染，刻蚀残留，抛光残留，沉积残留，清洗后残留。

9.气体与挥发残留检测：放气成分，挥发残留物，热释出污染物，吸附性杂质，微量气态污染物，残余反应副产物。

10.痕量元素检测：痕量钠，痕量铁，痕量铜，痕量锌，痕量镁，痕量锰，痕量钛，痕量铅。

11.水分与湿污染检测：表面吸附水，材料含水量，湿法残留，微量水分，潮气污染，水溶性残留物。

12.失效相关污染分析：腐蚀性残留，电迁移相关杂质，漏电诱发污染物，界面污染源，异常沉积物，导电性污染残留。

检测范围

硅晶圆、外延片、光刻胶、掩膜版、芯片裸片、引线框架、键合金丝、键合铜丝、焊球、焊膏、塑封料、底部填充材料、封装基板、陶瓷封装外壳、芯片载板、清洗液残留样、刻蚀后样片、抛光后样片、沉积后样片、成品集成电路

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量金属元素及超痕量杂质分析，适合多元素同步测定。

2.离子色谱仪：用于阴离子与阳离子残留检测，可分析离子污染物组成及含量。

3.气相色谱仪：用于挥发性有机物和溶剂残留分析，适合复杂有机污染筛查。

4.液相色谱仪：用于非挥发性有机物、添加剂及残留助剂检测，适合分离复杂样品成分。

5.傅里叶变换红外光谱仪：用于表面有机残留及官能团识别，可辅助判定污染物类别。

6.扫描电子显微镜：用于观察颗粒污染、表面异物及微区形貌特征，可进行微观污染定位。

7.能谱分析仪：用于微区元素组成分析，常配合显微观察开展颗粒或残留物成分判定。

8.总有机碳分析仪：用于测试样品或提取液中的有机污染总体水平，反映洁净程度。

9.激光粒子计数器：用于颗粒数量与粒径分布测定，适合洁净表面和环境颗粒监测。

10.热脱附分析装置：用于加热释放挥发及半挥发残留物，适合放气成分和热释出污染分析。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.